シリコンフォトニクスデバイス評価に適した波長掃引型フォトニクスアナライザ

santec株式会社（本社 愛知県小牧市）は、OFDR (Optical Frequency Domain Reflectometry)技術を用いた波長掃引型フォトニクスアナライザ SPA-100 （以下「本製品」といいます。）を開発しました。本製品は、santec波長可変レーザ （TSLシリーズ）のアドオンモジュールとして機能し、フォトニクスデバイス評価に要求される3つの機能（反射点計測, 波長依存損失計測, 近接センシング）を提供する分析装置です。広帯域波長可変のTSLと組み合わせることで、フォトニクスデバイスの損失点の位置を5umの高い分解能で検出できます。また、光コヒーレント検出技術を採用したことにより、1 回の波長掃引で 70dBを超える広いダイナミックレンジで波長依存損失(WDL)が測定できます。さらに、特許取得済みの近接センシング機能が、ファイバプローブとデバイス間の精密な距離測定を実現し、シリコンフォトニクスデバイス生産ラインにおいてウェハレベル特性評価時のアライメント工程を容易にします。これらの特徴により、本製品は、シリコンフォトニクス及び小型光コンポーネントの開発や生産など様々なアプリケーションで理想的なツールとなっています。

新製品の特長

・ 高分解能　5umの高い距離分解能で分析可能

・ 広帯域及び高ダイナミックレンジ　最大160nmの広い波長範囲及び70dB以上の高いダイナミックレンジでWDL測定が可能

・ 近接センシング　ファイバプローブとデバイス間距離の精密測定が可能

・ ユーザーフレンドリーなGUI (グラフィカルユーザインタフェース)　導波路上の反射点と損失を示すグラフにより障害点を特定し、導波路長や実効屈折率などの解析機能を提供